MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
 
   S3A1604是韓國(guó)NETSOL MRAM一款容量為16Mbint的非易失性存儲(chǔ)芯片。適合用于多功能打印機(jī)存儲(chǔ)芯片，該產(chǎn)品具有SPI總線(xiàn)接口、XIP性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。詳情洽RAMSUN。
 
   MRAM具有近乎無(wú)限的耐久性及高可靠性，為多功能打印機(jī)提高運(yùn)行效率，并降低能耗。MRAM的非易失性和高可靠性使它成為一種適合用于多功能打印機(jī)的存儲(chǔ)器技術(shù)。能夠滿(mǎn)足這種市場(chǎng)需求的非易失性存儲(chǔ)器。

   S3A1604產(chǎn)品表

Part Number	Density	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package	Status	PDF下載
S3A1604V0M	16Mbit	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP	Mass Prod.	暫無(wú)
S3A1604R0M	16Mbit	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108Mhz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP	Mass Prod.	暫無(wú)

 
 
本文關(guān)鍵詞：S3A1604,MRAM,STT-MRAM

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